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氧化镓异质结二极管展现了雪崩和浪涌稳健性
2 英寸掺锡 (001)-Ga2O3基板是设备制造的起点。漂移区由 10 μm 厚的硅掺杂 n-Ga 组成2O3载流子浓度为 ~1.7 × 10 的层16/厘米3.外延片可从 Novel Crystal Technology(...
分类:基础电子 时间:2024-12-17 阅读:305 关键词:氧化镓异质结二极管
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