MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的导通条件取决于其类型（N沟道或P沟道）和工作模式（增强型或耗尽型）。以下是详细分析：1. 基本导通条件(1) N沟道MOSFET（NMOS）增强型（常闭型）：栅源电压 VGSVGS > ...
我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态，承受着很大的功耗，一但过压或过流就会导致功耗大增，晶圆结温急剧上升...
分类：元器件应用 时间：2019-02-27 阅读：1718 关键词：MOSFET管的安全工作区MOSFET管
在带变压器的开关电源拓扑中，开关管关断时，电压和电流的重叠引起的损耗是开关电源损耗的主要部分，同时，由于电路中存在杂散电感和杂散电容，在功率开关管关断时，电路中...
分类：电源技术 时间：2017-12-07 阅读：5496 关键词：开关电源,电路
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，电压等，电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是的...
时间：2016-10-14 阅读：17193 关键词：关于MOSFET管驱动电路总结
H桥功率驱动电路可应用于步进电机、交流电机及直流电机等的驱动。永磁步进电机或混合式步进电机的励磁绕组都必须用双极性电源供电，也就是说绕组有时需正向电流，有时需反向电流，这样绕组电源需用H桥驱动。本文以两...
分类：元器件应用 时间：2016-06-06 阅读：3164 关键词：步进电机的MOSFET管驱动设计
采用P通道MOSFET功率管作为电源分配开关，双电源监测电路控制系统的上电和掉电顺序。这种方法同上面采用电源分配开关和双电源监测电路相似，只是采用MOSFET作为电源分配开...
分类：单片机与DSP 时间：2009-01-09 阅读：7574 关键词：P通道MOSFET管和和双电源监测电路P通道MOSFET管和双电源
如果选用没有稳定状态输出（PG）功能的DC/DC，则可以外部增加1个电源监测（SVS）器件实现PG的功能，同时使 用P通道MOSFET管作为电源分配开关实现上电次序的控制，如图1所示...
分类：单片机与DSP 时间：2009-01-09 阅读：6999 关键词：采用P通道MOSFET管和电源监测电路P通道MOSFET管电源监测
这种方法相对其他方法具有原理简单、增加辅助器件少的特点，通过采用P通道MOSFET管和具有稳定标识输出的 DC/DC电源模块来实现。P通道MOSFET管作为电源分配开关，DC/DC的电...
分类：单片机与DSP 时间：2009-01-09 阅读：3501 关键词：采用P通道MOSFET管和具有稳定标识的DC/DCP通道MOSFET管DC/DC
MOSFET管并联工作时,需要考虑两个问题:1)满载时,并联器件完全导通时的静态电流分配是否均衡.2)通断转换过程中它们的动态电流是否分配均衡.在并联工作的情况下,无论是静态还是动态情况,如果一个MOSFET管分担了相对较...
分类：元器件应用 时间：2008-08-20 阅读：3564 关键词：MOSFET管并联应用MOSFET管
PAM新推内置MOSFET管并输出30瓦的高功率LED驱动器PAM2842
PAM(PowerAnalogMicroelectronics)公司,一家研发创新D类数字音频功放和高功率LED显示驱动器芯片公司,今天发布她的第一个具有内置MOSFET高压30瓦的LED驱动器,这个驱动器是采用台积电（TSMC）的双极型-CMOS
分类：其它 时间：2008-08-16 阅读：2608 关键词：PAM新推内置MOSFET管并输出30瓦的高功率LED驱动器PAM2842PAM2842LED驱动器PAM2842
