由于GAN的高开关速度，寄生电感 与老化功率MOSFET相比，在较高的频率下使用GAN的能力使寄生电感在功率转化电路中的降解作用焦点[1]。这种电感阻碍了GAN额外的开关功能的...
ST- 为什么选择GaN晶体管？MASTERGAN1告诉你答案
ST发布了市场 也是 的单封装集成600 V栅极驱动器和两个加强版氮化镓（GaN）晶体管的MASTERGAN1。同类竞品只提供一颗GaN晶体管，而ST决定增加一颗GaN，实现半桥配置，并允...
分类：元器件应用 时间：2020-12-28 阅读：524 关键词：ST- 为什么选择GaN晶体管？MASTERGAN1告诉你答案晶体管
第三代半导体材料——氮化镓(GaN)，作为时下新兴的半导体工艺技术，提供超越硅的多种优势。与硅器件相比，GaN在电源转换效率和功率密度上实现了性能的飞跃，广泛应用于功率因数校正(PFC)、软开关DC-DC等电源系统设计...
分类：元器件应用 时间：2016-06-28 阅读：3133 关键词：安森美半导体GaN晶体管——追求更快、更智能和更高能效
