深度解析去耦电容的关键作用
出处:网络整理 发布于:2025-07-15 16:19:12
尖峰电流的形成
产生尖峰电流主要有两个原因。其一,输出级的 T3、T4 管在短时间内同时导通。在与非门由输出低电平转向高电平的过程中,输入电压的负跳变在 T2 和 T3 的基极回路内产生很大的反向驱动电流。由于 T3 的饱和深度设计得比 T2 大,反向驱动电流将使 T2 首先脱离饱和而截止。T2 截止后,其集电极电位上升,使 T4 导通。然而此时 T3 还未脱离饱和,因此在极短的时间内 T3 和 T4 将同时导通,从而产生很大的 ic4,使电源电流形成尖峰电流。图中的 R4 正是为了限制此尖峰电流而设计。低功耗型 TTL 门电路中的 R4 较大,因此其尖峰电流较小。当输入电压由低电平变为高电平时,与非门输出电平由高变低,这时 T3、T4 也可能同时导通。但当 T3 开始进入导通时,T4 处于放大状态,两管的集 - 射间电压较大,故所产生的尖峰电流较小,对电源电流产生的影响相对较小。其二,负载电容的影响也是产生尖峰电流的一个重要因素。与非门输出端实际上存在负载电容 CL,当门的输出由低转换到高时,电源电压由 T4 对电容 CL 充电,因此形成尖峰电流。当与非门的输出由高电平转换到低电平时,电容 CL 通过 T3 放电。此时放电电流不通过电源,故 CL 的放电电流对电源电流无影响。
尖峰电流的抑制方法
实际电容的特性
PCB 布局时去耦电容摆放
在 PCB 布局时,去耦电容的摆放位置至关重要。对于电容的安装,首先要考虑安装距离。容值的电容,有的谐振频率,去耦半径,因此放在靠近芯片的位置。容值稍大些的可以距离稍远,外层放置容值的。但是,所有对该芯片去耦的电容都尽量靠近芯片。下面的图 1 就是一个摆放位置的例子。本例中的电容等级大致遵循 10 倍等级关系。还有一点要注意,在放置时,均匀分布在芯片的四周,对每一个容值等级都要这样。通常芯片在设计的时候就考虑到了电源和地引脚的排列位置,一般都是均匀分布在芯片的四个边上的。因此,电压扰动在芯片的四周都存在,去耦也必须对整个芯片所在区域均匀去耦。如果把图中的 680pF 电容都放在芯片的上部,由于存在去耦半径问题,那么就不能对芯片下部的电压扰动很好的去耦。
电容的安装
在安装电容时,要从焊盘拉出一小段引出线,然后通过过孔和电源平面连接,接地端也是同样。这样流经电容的电流回路为:电源平面 -> 过孔 -> 引出线 -> 焊盘 -> 电容 -> 焊盘 -> 引出线 -> 过孔 -> 地平面。不同的安装方法会产生不同的寄生电感。
种方法从焊盘引出很长的引出线然后连接过孔,这会引入很大的寄生电感,一定要避免这样做,这是糟糕的安装方式。第二种方法在焊盘的两个端点紧邻焊盘打孔,比种方法回路面积小得多,寄生电感也较小,可以接受。第三种在焊盘侧面打孔,进一步减小了回路面积,寄生电感比第二种更小,是比较好的方法。第四种在焊盘两侧都打孔,和第三种方法相比,相当于电容每一端都是通过过孔的并联接入电源平面和地平面,比第三种寄生电感更小,只要空间允许,尽量用这种方法。一种方法在焊盘上直接打孔,寄生电感,但是焊接时可能会出现问题,是否使用要看加工能力和方式。推荐使用第三种和第四种方法。需要强调一点:有些工程师为了节省空间,有时让多个电容使用公共过孔,任何情况下都不要这样做。想办法优化电容组合的设计,减少电容数量。由于印制线越宽,电感越小,从焊盘到过孔的引出线尽量加宽,如果可能,尽量和焊盘宽度相同。这样即使是 0402 封装的电容,也可以使用 20mil 宽的引出线。引出线和过孔安装如图 4 所示,注意图中的各种尺寸。
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