在功率半导体领域，超结 MOS 作为一种重要的器件，其电容特性曲线对于理解和应用该器件至关重要。接下来，我们将详细解读超结 MOS 电容特性曲线，对比它与传统 VDMOS 电容特性曲线的差异，探究超结 MOS 电容变化的原理，以及分析为什么超结 MOS 电容比传统 VDMOS 电容小。
　　超结 MOS 与传统 VDMOS 电容特性曲线差异
　　功率 MOSFET 的输出电容（Coss）及反向传输电容（Crss）会随着外加电压 VDS 的变化而呈现出明显的非线性特性。超结 MOS 因其独特的结构，其电容特性曲线与传统 VDMOS 存在显著差异，具体如下图所示：

　

　　从图中可以看出，当 VDS 电压刚开始升高时，超结 MOS 的输出电容（Coss）及反向传输电容（Crss）会急剧下降。随着电压继续升高，Coss 逐渐趋于平稳，而 Crss 则先逐渐升高，之后也趋于平稳。这种特性曲线的差异反映了超结 MOS 独特的物理结构和电学特性。
　　超结 MOS 电容变化原理
　　为了更深入地理解超结 MOS 电容的变化，我们将其电容特性曲线分成两段进行分析，如下图所示：

　　

　　在 V0~V1 段
　　当 VDS 电压上升时，超结 MOS 横向电场会先产生耗尽层（空间电荷区）。N 型漂移层（N 柱）两侧的耗尽层边界会逐渐向中心移动，具体过程如下图所示：
　
　　

　　在耗尽层向下移动的过程中，我们可以从电容的物理原理来理解其变化
　　增大导致电容 Cgd 降低。同时，漏源电容 Cds 两极面积减小且距离增大，同样根据上述公式，电容 Cds 也会减小。当 P/N 柱完全耗尽时，这两个电容降到。由于 P/N 柱在低 VDS 电压下就能完全耗尽，因此输出电容 Coss 和反向传输电容 Crss 在 VDS 刚开始升高（V0~V1 段）时，会有一段急剧下降的过程。
　　在 V1~V2 段
　　当 P/N 柱已经完全耗尽后，VDS 电压继续上升，耗尽层开始向 P - 体内移动，如下图所示：

　　在耗尽层向 P - 体内移动的过程中，栅漏电容 Cgd 两极正对面积增大，根据电容计算公式，电容 Cgd 升高，因此反向传输电容 Crss 会有一段升高的过程。后续随着 VDS 升高，耗尽区变化不大，Crss、Coss 趋于不变。
　　为什么超结 MOS 电容比传统 VDMOS 电容小
　　相同规格的芯片，超结 MOS 相比于传统 VDMOS 芯片面积可以做得更小。芯片面积的减小直接导致了各极间寄生电容的减小。从电容的物理本质来看，电容与极板面积成正比，芯片面积减小意味着极板面积减小，从而使得超结 MOS 的电容比传统 VDMOS 电容小。这种电容减小的特性使得超结 MOS 在一些对电容要求较高的应用场景中具有明显的优势，例如高频开关电路等。