IGBT（绝缘栅双极型晶体管）作为电力电子领域中至关重要的功率半导体器件，在各类电力转换和控制应用中发挥着作用。然而，IGBT 元件在实际运行过程中，面临着短路和过电压等严峻问题的挑战，这些问题可能会严重影响其性能和可靠性，甚至导致元件损坏。因此，对 IGBT 元件的短路和过电压保护进行深入研究具有重要的现实意义。

有关短路和过电压保护的流程图如下：

在没有附加保护装置的情况下，10μs 短路 SOA 操作存在一定风险。由于元件破坏、控制电路异常（空载时间不足）、相间短路以及接地等不同原因，都会引发短路电流。以下分别是不同情况引起的短路电流范例：

当短路电流关断时，会出现 C - E 间过电压的情况，如下图所示：

相间（负载）短路时，会有非常大的电流流动，其电流值由电源电容器的 ESR 和 IGBT 的增益决定。一旦发生短路，功率会大幅度剧增，如果不能在 10μs 以内关断，IGBT 就会损坏。同时，还会产生浪涌电压，其电压值为集电极及发射极分布电感 Ls 与 - di/dt 之积。例如，即使 Ls 为 0.1μH，如果 - di/dt 为 2,000A/μs，此电压将达到 200V。为了降低 - di/dt，需要缓慢地关断 IGBT（软关断），并且在配线时应尽可能让残留电感，以减少过电压的影响。

另外，IGBT 从饱和状态向不饱和状态移动时，集电极的电位上升，门极也会由于反向传输电容而导致门极电位上升。这不仅会进一步增强集电极电流，还存在导致门极破坏的危险。因此，建议在门极 - 发射极之间加入稳压二极管和电阻，以保护门极。具体情况如下图所示：

综上所述，IGBT 元件的短路和过电压保护是一个复杂而关键的问题，需要从多个方面进行综合考虑和处理，以确保 IGBT 元件在各种工况下都能稳定可靠地运行。