vcc和vdd的区别
出处:网络整理 发布于:2025-06-21 15:35:00
一、术语起源与定义
VCC (Voltage Common Collector)
源自双极型晶体管(BJT)电路,表示集电极公共电源电压
传统定义:BJT正电源引脚(如74系列TTL芯片)
VDD (Voltage Drain Drain)
二、典型应用场景对比
参数 | VCC | VDD |
---|---|---|
适用器件 | BJT、TTL逻辑电路 | CMOS、MOSFET、FPGA |
电压范围 | 5V(经典TTL) | 1.8-3.3V(现代CMOS) |
电路拓扑 | 共集电极供电 | 共漏极供电 |
代表芯片 | 74LS00(TTL) | STM32(CMOS MCU) |
三、技术特性差异
电流特性
VCC:毫安级静态电流(BJT基极电流不可忽略)
VDD:微安级漏电流(MOSFET栅极绝缘)
噪声敏感度
VCC:需考虑β值变化带来的波动
VDD:更关注栅极耦合噪声(需加强去耦)
电平标准
类型 VCC(TTL) VDD(CMOS) 逻辑高 ≥2.4V 0.7×VDD 逻辑低 ≤0.8V 0.3×VDD
四、PCB设计规范
符号标注标准
模拟电路:常用VCC/VDD区分数字/模拟电源
混合系统:
AVDD - 模拟电源 DVDD - 数字电源 VCC - 外设驱动电源
去耦电容配置
VCC:每芯片100nF+10μF电解电容
VDD:每电源引脚100nF+1μF MLCC
多层板布线
电源类型 推荐层 线宽(1oz铜) VCC 内电层(3.3V) 0.3mm/1A VDD 表层(短路径) 0.2mm/0.5A
五、常见混淆场景
混合工艺芯片
如DS1302(VCC=5V供电,但内部为CMOS结构)
历史遗留标注
某些CMOS芯片仍沿用VCC符号(实际应接VDD电压)
六、电压转换方案
VCC→VDD
使用LDO(如AMS1117-3.3)从5V降压至3.3V
VDD→VCC
电平转换芯片(如TXB0108)实现3.3V→5V信号转换
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