光电探测器（Photodetector）的定义

光电探测器是一种将光信号（光子）转换为电信号（电流或电压）的半导体器件，广泛应用于光通信、成像、传感、测距等领域。其原理是光电效应（光子激发电子跃迁，产生可测电信号）。

光电探测器的分类方式

光电探测器可按工作原理、材料、结构、响应特性等进行区分，以下是主要分类方法：

1. 按工作原理区分

(1) 光电导探测器（Photoconductive Detector）

• 原理：光照改变半导体电阻（光电导效应）。

• 代表器件：光敏电阻（CdS、PbS等）。

• 特点：

  • 无偏压或低偏压工作。

  • 响应速度较慢（毫秒级），适合低速光控开关。

(2) 光伏探测器（Photovoltaic Detector）

• 原理：PN结或PIN结在光照下产生光生电压（光伏效应）。

• 代表器件：光电二极管（Si-PIN、APD）、太阳能电池。

• 特点：

  • 零偏压（光伏模式）或反偏压（光电导模式）工作。

  • 响应速度快（纳秒级），用于高速光通信。

(3) 光电子发射探测器（Photoemissive Detector）

• 原理：光子激发材料表面电子逸出（外光电效应）。

• 代表器件：光电倍增管（PMT）、真空光电管。

• 特点：

  • 超高灵敏度（单光子探测），需高压供电。

  • 体积大、成本高，用于弱光检测（如天文观测）。

2. 按半导体材料区分

3. 按响应速度区分

4. 按结构区分

(1) PIN光电二极管

• 结构：P型-本征层(I)-N型，增大了耗尽区，提高量子效率。

• 优点：响应快、线性度好，用于中等灵敏度场景（如光纤接收端）。

(2) 雪崩光电二极管（APD）

• 结构：内部增益机制（碰撞电离），电流放大倍数可达100-1000倍。

• 优点：高灵敏度，适用于弱光探测（如激光雷达）。

• 缺点：需高压偏置（几十至几百伏），温度敏感。

(3) 光电晶体管

• 结构：光敏基极的晶体管，兼具探测和放大功能。

• 优点：输出电流大，无需额外放大电路。

• 缺点：响应速度慢，用于低速光控电路。

5. 按探测波长区分

选型关键参数

1. 响应度（Responsivity）：单位光功率产生的电流（A/W）。

2. 量子效率（QE）：光子-电子转换效率（%）。

3. 暗电流（Dark Current）：无光照时的漏电流（影响信噪比）。

4. 带宽（Bandwidth）：决定可探测调制频率。

5. 线性动态范围：输出电流与光功率的线性关系范围。

典型应用场景

• 光通信：InGaAs APD（1550 nm光纤接收）。

• 激光雷达：SiPM（硅光电倍增管）或APD。

• 消费电子：CMOS图像传感器（手机摄像头）。

• 环境监测：光敏电阻（光照强度传感器）。